上海盛禄电子有限公司

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[碳化硅功率晶体管/模块]

碳化硅功率晶体管/模块

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[功率的绝缘栅双极型晶体管组件]

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[氮化镓功率晶体管测试/评估产品]

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[氮化镓功率晶体管]

氮化镓功率晶体管

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[功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）晶体管]

功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）晶体管

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在过去的几十年中，功率MOSFET晶体管被称为高频开关电源的功率半导体工作的马（SPMS）。功率MOSFET提供了几个明显的优势，包括超快速开关（整流）的速度，极低的开关损耗，因此，卓越的效率。此外，功率MOSFET晶体管具有很高的输入电阻（上为1012欧姆）真的是电压控制（零偏置电流）设备。我们进行纵向和横向的MOSFET。典型的应用包括开关电源垂直MOSFET（均为硬开关在200千赫和零电压开关–ZVS–低于1000瓦），功率因数校正，太阳能逆变器、弧焊、等离子切割机、调幅发射机，D类放大器，感应加热，和电池充电电路。侧MOSFET的应用包括可变功率电阻、软启动电路、大电流、高压开关、线性放大器、大电流恒流源，直流动力荷载。在你的应用中选择合适的功率MOSFET晶体管是重要的特定属性包括通态电阻（MΩ），额定电压（V），额定电流（A），和封装类型。我们选择大功率MOSFET晶体管包括最近的技术进步，如安静的切换，超低等效栅极电阻（EGR），减少电磁干扰，低栅极电荷MOSFET，和更高的额定能量MOSFET。
[功率IGBT（绝缘栅双极型晶体管）晶体管]

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智能功率模块（IPM）的晶体管用于大量的应用，包括可再生能源、电机控制、牵引系统、电梯、焊接、UPS、白色家电、泵、医疗。我们还进行了最紧凑的集成IPM晶体管提供最高效率。我们提供IPM晶体管专为快速增长的可再生能源的应用，如太阳能逆变器。它的额定电压一般是有用的组定义。我们都是600V和1200V IPM的晶体管，额定电流为800A的高。我们供应单相和三相系统。IPM晶体管功能包括内置短路保护、欠压保护、过温保护、故障信号输出功能。在你的应用中选择合适的IPM晶体管是重要的特定属性包括IPM配置（单，双，六包，七包，斩波器，收集CI，等），额定电压（V），额定电流（A）和封装类型。
[功率绝缘栅双极晶体管]

功率绝缘栅双极晶体管

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功率IGBT晶体管用于大量的应用。可再生能源，电机控制，牵引系统，电梯，焊接，UPS。我们还进行了最紧凑的集成IGBT模块提供最高效率。我们提供的IGBT模块专为快速增长的可再生能源的应用。例如，我们提供的“三电平逆变器模块”的风力发电和太阳能发电系统。此外，我们还进行了其他多电平逆变器模块的一些重要应用。我们的产品可用于IGBT模块的开关频率高达50 kHz的优化，具有电压高达6500伏，电流为2500安培，高。我们的离散IGBT晶体管可用于开关频率高达120千赫，可以使用电压高达1200伏，电流为100安培的高。在你的应用中选择合适的功率IGBT晶体管是重要的特定属性包括IGBT结构（单、双、升压斩波电路、降压斩波电路，IGBT +二极管，6-1，等），额定电压（V），额定电流（A）和封装类型。
[功率耗散型场效应管]

功率耗散型场效应管

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与功率MOSFET功率晶体管，FREDFET具有快速恢复体二极管的特性，提供快速切换（高转换速度），高dv/dt，增强耐用性，极低的开关损耗，可靠性高，效率高。此外，功率晶体管FREDFET排放水平低的EMI（电磁干扰），通常具有低栅极电荷，和一些FREDFET甚至额定能量。典型的应用包括FREDFET零电压开关（ZVS）电路、功率因数校正、太阳能逆变器、弧焊、等离子切割机、调幅发射机，D类放大器、感应加热、等离子体沉积、电池充电、高压脉冲直流电路。在你的应用中选择合适的功率晶体管是重要的特定属性包括FREDFET额定电压（V），额定电流（A），通态电阻（MΩ）和封装类型。

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